收藏本站
IRF7422D2
SO-8 (Fetky) Package Outline
Dimensions are shown in millimeters (inches)
D
B
DIM
INCHES
MIN MAX
MILLIMET ERS
MIN MAX
A
5
A
.0532
.0688
1.35
1.75
A1 .0040
.0098
0.10
0.25
b
.013
.020
0.33
0.51
E
6
8
1
7
2
6
3
5
4
H
0.25 [.010]
A
c
D
E
e
.0075 .0098
.189 .1968
.1497 .1574
.050 BASIC
0.19 0.25
4.80 5.00
3.80 4.00
1.27 BAS IC
e1
.025 BASIC
0.635 BASIC
H
.2284
.2440
5.80
6.20
6X
e
K
L
y
.0099
.016
0°
.0196
.050
8°
0.25
0.40
0°
0.50
1.27
8°
e1
A
C
y
K x 45°
8X b
0.25 [.010]
A1
C A B
0.10 [.004]
8X L
7
8X c
NOT ES :
1. DIMENSIONING & T OLERANCING PER AS ME Y14.5M-1994.
2. CONTROLLING DIMENS ION: MILLIMETER
3. DIMENSIONS ARE S HOWN IN MILLIMET ERS [INCHES ].
4. OUTLINE CONFORMS TO JEDEC OUTLINE MS-012AA.
5 DIMENSION DOES NOT INCLUDE MOLD PROT RUS IONS.
MOLD PROTRUSIONS NOT TO EXCEED 0.15 [.006].
6 DIMENSION DOES NOT INCLUDE MOLD PROT RUS IONS.
MOLD PROTRUSIONS NOT TO EXCEED 0.25 [.010].
7 DIMENSION IS THE LENGT H OF LEAD FOR S OLDERING TO
A S UBS TRAT E.
6.46 [.255]
FOOTPRINT
8X 0.72 [.028]
3X 1.27 [.050]
SO-8 (Fetky) Part Marking Information
EXAMPLE: T HIS IS AN IRF7807D1 (FET KY)
8X 1.78 [.070]
DAT E CODE (YWW)
P = DISGNAT ES LEAD - FREE
PRODUCT (OPT IONAL)
Y = LAS T DIGIT OF T HE YEAR
www.irf.com
INT ERNAT IONAL
RECT IFIER
LOGO
XXXX
807D1
WW = WEEK
A = AS S EMBLY S IT E CODE
LOT CODE
PART NUMBER
7
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IRF7452QTRPBF MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SOIC
IRF7452TR MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SOIC
IRF7457TR MOSFET N-CH 20V 15A 8-SOIC
IRF7459TRPBF MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC
IRF7459TR MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC
IRF7460TR MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC
IRF7463TR MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
IRF7464TR MOSFET N-CH 200V 1.2A 8-SOIC
相关代理商/技术参数
IRF7422D2TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT PCh w/Schttky -4.3A 90mOhm 15nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7423TR 功能描述:MOSFET N-CH 30V 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7424 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Ultra Low On-Resistance
IRF7424 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P SO-8
IRF7424.PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P SO-8 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, P, SO-8 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, P, SO-8; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:11A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):13.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-2.5V; Power Dissipation Pd:2.5W ;RoHS Compliant: Yes
IRF7424GTRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -30V -11A 13.5mOhm 75nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7424HR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC
IRF7424PBF 功能描述:MOSFET 1 P-CH -30V HEXFET 13.5mOhms 75nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube